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【网络媒体走转改】江风益团队再结硕果 黄光LED芯片技术领跑国际

来源:江西网络广播电视台 记者:陶望平 编辑:陈大圣 发布: 2017-01-22 23:32
  2016年,南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心研发的黄光LED芯片取得突破,黄光LED电光转换效率达到21.5%,远高于国外公开报道或可查询到的最高水平(9.63%)。这一技术突破使我国LED技术处于“局部领跑”地位。

南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心新大楼

南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心新大楼。(记者陶望平 摄)

江西网络广播电视台讯(记者 陶望平)1月22日下午,沐浴着冬日的暖阳,江西网络台记者走进在南昌高新区落成启用的南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心新大楼。在这里,由江风益教授领衔的团队自主研发的硅衬底黄光LED芯片实现突破,跃居世界领先水平,使我国LED技术处于“局部领跑”地位。

南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心研发的蓝光LED、黄光LED等多种LED产品。

南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心研发的黄光LED等多种LED产品。

在南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心实验室里,由江风益教授牵头研究的“硅衬底蓝色发光二极管”项目,获得2015年度国家技术发明奖一等奖。

2016年2月3日,习近平总书记视察南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,肯定了科研人员攻科研难题和抓成果转化“决心大、目标高、工作实、成效好”,并对他们提出了殷切期望。

一年来,江风益团队在技术创新上取得了怎样的成绩呢?

22日下午,江风益团队核心成员、南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心副主任王光绪博士一边指着宣传板,一边向记者介绍该中心过去的一年在硅衬底黄光LED芯片领域取得的成果。

2016年,该中心研发的黄光LED芯片取得突破,黄光LED电光转换效率达到21.5%,远高于国外公开报道或可查询到的最高水平(9.63%)。“灯泡插在插座上,输入1瓦的电,出来0.2瓦的光,这个电光转化效率就是20%。”王光绪表示,这一技术突破使我国LED技术处于“局部领跑”地位。

中心是怎么做到黄光LED芯片电光转换效率大幅提升的呢?王光绪告诉江西网络台记者,这主要得益于MOVCD装备与工艺的协同创新。

中心工作人员正在对芯片进行测试,测试过程中通过显微镜观察芯片的质量。

中心工作人员正在对芯片进行测试,测试过程中通过显微镜观察芯片的质量。

江西网络台记者陶望平在南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心采访

 江西网络台记者陶望平在南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心采访

“做LED材料,以前核心的装备靠进口,美国和德国两家公司生产这个核心装备。2011年我们果断地选了一个方向,就是要对LED产业里的核心装备MOCVD国产化,而且要结合我们硅基LED的工艺来实现协同创新。”王光绪说,经过三年的努力,我们自主研发了新一代MOCVD高端装备,这套装备尤其适合黄光LED的研发。

王光绪高兴地说,现在不少客户对硅衬底黄光LED芯片技术非常感兴趣,“不少客户试用了,试用效果良好。”

硅衬底黄光LED芯片应用范围很广泛,可在通用照明和特种照明领城应用,其最大的市场在于其代替荧光粉。“目前LED照明是用蓝光LED+荧光粉。为什么要用荧光粉呢?是因为长期以来黄光LED芯片电光转换效率不高,要用荧光粉去代替黄光LED芯片。现在黄光LED芯片已经到了这样的水平,就可以用五基色白光替代现有的白光LED,省去稀土荧光粉这一战略性资源。”

无荧光粉的LED灯

有荧光粉的LED灯(左)和无荧光粉的LED灯(右)。

黄光LED芯片已经实现突破,接下来就是量产。根据计划, 2017年第二季度,中心的产业化公司南昌黄绿照明有限公司将把黄光LED芯片导入生产线进行规模化生产。

创新无止境!南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心还将继续进行技术攻关,紧紧依靠创新,不断提高黄光LED芯片的电光转换效率,争取再上新台阶。

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